Номер на продукта на производителя:
IXTP1R4N100P
Product Overview
Производител:
IXYS
Номер на част:
IXTP1R4N100P-DG
Описание:
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB
Подробно описание:
N-Channel 1000 V 1.4A (Tc) 63W (Tc) Through Hole TO-220-3
Инвентар:
12820066
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
U8BH
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IXTP1R4N100P Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Littelfuse
Опаковане
Tube
Поредица
Polar
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
1000 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
1.4A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
11Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4.5V @ 50µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
17.8 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
450 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
63W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
TO-220-3
Опаковка / Калъф
TO-220-3
Основен номер на продукта
IXTP1
Технически данни и документи
Технически данни
Допълнителна информация
Стандартен пакет
50
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
STP2NK100Z
ПРОИЗВОДИТЕЛ
STMicroelectronics
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
738
Номер на част
STP2NK100Z-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
1.37
Вид на замяна
Similar
НОМЕР НА ЧАСТ
IRFBG20PBF
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Vishay Siliconix
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
1421
Номер на част
IRFBG20PBF-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.68
Вид на замяна
Similar
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IXFH21N50
MOSFET N-CH 500V 21A TO247AD
IXFH16N50P3
MOSFET N-CH 500V 16A TO247AD
IXTA56N15T
MOSFET N-CH 150V 56A TO263