Номер на продукта на производителя:
IXTP8N65X2M
Product Overview
Производител:
IXYS
Номер на част:
IXTP8N65X2M-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 4A TO220
Подробно описание:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 32W (Tc) Through Hole TO-220
Инвентар:
46 Брой Нови Оригинални На Склад
12905806
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
tuEP
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IXTP8N65X2M Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Littelfuse
Опаковане
Tube
Поредица
Ultra X2
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
650 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
4A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
550mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
5V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
800 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
32W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
TO-220
Опаковка / Калъф
TO-220-3
Основен номер на продукта
IXTP8
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически листове
Технически данни
Допълнителна информация
Стандартен пакет
50
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
STP10NM60ND
ПРОИЗВОДИТЕЛ
STMicroelectronics
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
631
Номер на част
STP10NM60ND-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.91
Вид на замяна
Similar
НОМЕР НА ЧАСТ
FCP600N60Z
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Fairchild Semiconductor
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
781
Номер на част
FCP600N60Z-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
1.07
Вид на замяна
Similar
Сертификация DIGI
Свързани продукти
ZVP2106AS
MOSFET P-CH 60V 280MA TO92-3
IRFR9024TRR
MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
IRF9520STRLPBF
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
