Номер на продукта на производителя:
IXTQ18N60P
Product Overview
Производител:
IXYS
Номер на част:
IXTQ18N60P-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 18A TO3P
Подробно описание:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-3P
Инвентар:
12821417
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IXTQ18N60P Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Littelfuse
Опаковане
Tube
Поредица
Polar
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
600 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
18A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
420mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
5.5V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
2500 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
360W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
TO-3P
Опаковка / Калъф
TO-3P-3, SC-65-3
Основен номер на продукта
IXTQ18
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически листове
Технически данни
Допълнителна информация
Стандартен пакет
30
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
FCH041N60F
ПРОИЗВОДИТЕЛ
onsemi
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
365
Номер на част
FCH041N60F-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
7.37
Вид на замяна
Similar
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IXTA1R4N120P
MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO263
IXTP8N65X2
MOSFET N-CH 650V 8A TO220
IXFH13N90
MOSFET N-CH 900V 13A TO247AD
