Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
IXTT110N10L2-TRL
Product Overview
Производител:
IXYS
Номер на част:
IXTT110N10L2-TRL-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 110A TO268
Подробно описание:
N-Channel 100 V 110A (Tc) 600W (Tc) Surface Mount TO-268 (IXTT)
Инвентар:
Онлайн запит за оферта
12996358
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IXTT110N10L2-TRL Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Littelfuse
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
Linear L2™
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
100 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
110A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
18mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4.5V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
10500 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
600W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
TO-268 (IXTT)
Опаковка / Калъф
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Основен номер на продукта
IXTT110
Технически данни и документи
HTML Технически лист
IXTT110N10L2-TRL-DG
Технически данни
IXT(H,T)110N10L2
Технически листове
IXTT110N10L2-TRL
Допълнителна информация
Стандартен пакет
400
Други имена
238-IXTT110N10L2-TRLTR
238-IXTT110N10L2-TRLDKR
238-IXTT110N10L2-TRLCT
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
DMP3011SFVWQ-7
MOSFET P-CH 30V 11.5A PWRDI3333
MCQ15N10Y-TP
MOSFET N-CH SOP-8
2SK1449
2SK1449 - N-CHANNEL SILICON MOSF
2SK1445LS
2SK1445 - N-CHANNEL SILICON MOSF