IXTT110N10L2-TRL
Номер на продукта на производителя:

IXTT110N10L2-TRL

Product Overview

Производител:

IXYS

Номер на част:

IXTT110N10L2-TRL-DG

Описание:

MOSFET N-CH 100V 110A TO268
Подробно описание:
N-Channel 100 V 110A (Tc) 600W (Tc) Surface Mount TO-268 (IXTT)

Инвентар:

12996358
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ

IXTT110N10L2-TRL Технически спецификации

Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Littelfuse
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
Linear L2™
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
100 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
110A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
18mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4.5V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
10500 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
600W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
TO-268 (IXTT)
Опаковка / Калъф
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Основен номер на продукта
IXTT110

Технически данни и документи

HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове

Допълнителна информация

Стандартен пакет
400
Други имена
238-IXTT110N10L2-TRLTR
238-IXTT110N10L2-TRLDKR
238-IXTT110N10L2-TRLCT

Екологична и износна класификация

Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
diodes

DMP3011SFVWQ-7

MOSFET P-CH 30V 11.5A PWRDI3333

micro-commercial-components

MCQ15N10Y-TP

MOSFET N-CH SOP-8

onsemi

2SK1449

2SK1449 - N-CHANNEL SILICON MOSF

sanyo

2SK1445LS

2SK1445 - N-CHANNEL SILICON MOSF