Номер на продукта на производителя:
IXTY4N65X2
Product Overview
Производител:
IXYS
Номер на част:
IXTY4N65X2-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 4A TO252
Подробно описание:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Инвентар:
70 Брой Нови Оригинални На Склад
12819386
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IXTY4N65X2 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Littelfuse
Опаковане
Tube
Поредица
Ultra X2
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
650 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
4A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
850mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
5V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
455 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
80W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
TO-252AA
Опаковка / Калъф
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Основен номер на продукта
IXTY4
Технически данни и документи
Допълнителна информация
Стандартен пакет
70
Други имена
-IXTY4N65X2
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IXTP24P085T
MOSFET P-CH 85V 24A TO220AB
IXFK180N15P
MOSFET N-CH 150V 180A TO264AA
IXTK88N30P
MOSFET N-CH 300V 88A TO264
