Номер на продукта на производителя:
2N3507AL
Product Overview
Производител:
Microchip Technology
Номер на част:
2N3507AL-DG
Описание:
NPN POWER SILICON TRANSISTORS
Подробно описание:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 3 A 1 W Through Hole TO-5AA
Инвентар:
13246678
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
2N3507AL Технически спецификации
Категория
Биполярен (BJT), Едночипови биполярни транзистори
Производител
Microchip Technology
Опаковане
Bulk
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип транзистор
NPN
Ток - колектор (Ic) (макс.)
3 A
Напрежение - повреда на излъчвателя на колектора (макс.)
50 V
Vce Насищане (макс.) @ ib, ic
1.5V @ 250mA, 2.5A
Ток - прекъсване на колектора (макс.)
1µA
Усилване на постоянен ток (hFE) (мин) @ Ic, Vce
35 @ 500mA, 1V
Мощност - Макс
1 W
Честота - преход
-
Работна температура
-65°C ~ 200°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Опаковка / Калъф
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Пакет устройства на доставчика
TO-5AA
Основен номер на продукта
2N3507
Технически данни и документи
Технически данни
Допълнителна информация
Стандартен пакет
1
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
RoHS non-compliant
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
