Номер на продукта на производителя:
2N7000-G
Product Overview
Производител:
Microchip Technology
Номер на част:
2N7000-G-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Подробно описание:
N-Channel 60 V 200mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3
Инвентар:
2790 Брой Нови Оригинални На Склад
12788557
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
2N7000-G Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Microchip Technology
Опаковане
Bag
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
60 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
200mA (Tj)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
3V @ 1mA
Vgs (макс.)
±30V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
60 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
1W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
TO-92-3
Опаковка / Калъф
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Основен номер на продукта
2N7000
Технически данни и документи
Допълнителна информация
Стандартен пакет
1,000
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
CSD17483F4
MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR
CSD22204W
MOSFET P-CH 8V 5A 9DSBGA
CSD19537Q3
MOSFET N-CH 100V 9.7A/50A 8VSON