Номер на продукта на производителя:
APT28M120L
Product Overview
Производител:
Microchip Technology
Номер на част:
APT28M120L-DG
Описание:
MOSFET N-CH 1200V 29A TO264
Подробно описание:
N-Channel 1200 V 29A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole TO-264 [L]
Инвентар:
25 Брой Нови Оригинални На Склад
13253775
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
APT28M120L Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Microchip Technology
Опаковане
Tube
Поредица
POWER MOS 8™
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
1200 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
29A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
530mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
5V @ 2.5mA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
300 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
9670 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
1135W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
TO-264 [L]
Опаковка / Калъф
TO-264-3, TO-264AA
Основен номер на продукта
APT28M120
Технически данни и документи
Технически данни
Допълнителна информация
Стандартен пакет
25
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
APT40M75JN
MOSFET N-CH 400V 56A ISOTOP
APTC60DAM24CT1G
MOSFET N-CH 600V 95A SP4
APT8065BVFRG
MOSFET N-CH 800V 13A TO247
