Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
APTM10UM01FAG
Product Overview
Производител:
Microchip Technology
Номер на част:
APTM10UM01FAG-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 860A SP6
Подробно описание:
N-Channel 100 V 860A (Tc) 2500W (Tc) Chassis Mount SP6
Инвентар:
Онлайн запит за оферта
13249564
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
APTM10UM01FAG Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Microchip Technology
Опаковане
Bulk
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
100 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
860A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.6mOhm @ 275A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 12mA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
2100 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
60000 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
2500W (Tc)
Работна температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Chassis Mount
Пакет устройства на доставчика
SP6
Опаковка / Калъф
SP6
Основен номер на продукта
APTM10
Технически данни и документи
Технически данни
APTM10UM01FAG
High-Voltage Power Discretes and Modules
Допълнителна информация
Стандартен пакет
1
Други имена
APTM10UM01FAGMI-ND
APTM10UM01FAGMI
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
APT10M11JVRU3
MOSFET N-CH 100V 142A SOT227
APT130SM70J
SICFET N-CH 700V 78A SOT227
APT8020B2LLG
MOSFET N-CH 800V 38A T-MAX
2N6849U
MOSFET P-CH 100V 6.5A 18ULCC