Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
LND01K1-G
Product Overview
Производител:
Microchip Technology
Номер на част:
LND01K1-G-DG
Описание:
MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5
Подробно описание:
N-Channel 9 V 330mA (Tj) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23-5
Инвентар:
3471 Брой Нови Оригинални На Склад
12794311
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
LND01K1-G Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Microchip Technology
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
9 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
330mA (Tj)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
0V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.4Ohm @ 100mA, 0V
Vgs(th) (макс.) @ id
-
Vgs (макс.)
+0.6V, -12V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
46 pF @ 5 V
Функция на FET
Depletion Mode
Разсейване на мощността (макс.)
360mW (Ta)
Работна температура
-25°C ~ 125°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
SOT-23-5
Опаковка / Калъф
SC-74A, SOT-753
Основен номер на продукта
LND01
Технически данни и документи
Сглобяване/произход на PCN
Fab Site Addition Update 07/Oct/2015
HTML Технически лист
LND01K1-G-DG
Технически данни
LND01
Технически листове
LND01K1-G
Допълнителна информация
Стандартен пакет
3,000
Други имена
LND01K1-GDKR
LND01K1-GTR
LND01K1-GCT
LND01K1-G-DG
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
CSD18511Q5AT
MOSFET N-CH 40V 159A 8VSON
CSD18563Q5AT
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
CDM7-600LR TR13 PBFREE
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
CSD19502Q5B
MOSFET N-CH 80V 100A 8VSON