Номер на продукта на производителя:
TN0106N3-G-P013
Product Overview
Производител:
Microchip Technology
Номер на част:
TN0106N3-G-P013-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
Подробно описание:
N-Channel 60 V 350mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3
Инвентар:
12810245
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
TN0106N3-G-P013 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Microchip Technology
Опаковане
Tape & Box (TB)
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
60 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
350mA (Tj)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
2V @ 500µA
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
60 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
1W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
TO-92-3
Опаковка / Калъф
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Основен номер на продукта
TN0106
Технически данни и документи
Технически данни
Допълнителна информация
Стандартен пакет
2,000
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
VP0550N3-G
MOSFET P-CH 500V 54MA TO92-3
IRF6643TR1PBF
MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET
IRLR7821TRRPBF
MOSFET N-CH 30V 65A DPAK
