VP0550N3-G-P013
Номер на продукта на производителя:

VP0550N3-G-P013

Product Overview

Производител:

Microchip Technology

Номер на част:

VP0550N3-G-P013-DG

Описание:

MOSFET P-CH 500V 54MA TO92-3
Подробно описание:
P-Channel 500 V 54mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3

Инвентар:

12806607
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ

VP0550N3-G-P013 Технически спецификации

Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Microchip Technology
Опаковане
Tape & Box (TB)
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип FET
P-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
500 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
54mA (Tj)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
125Ohm @ 10mA, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4.5V @ 1mA
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
70 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
1W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
TO-92-3
Опаковка / Калъф
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Основен номер на продукта
VP0550

Технически данни и документи

HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове

Допълнителна информация

Стандартен пакет
2,000

Екологична и износна класификация

Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
infineon-technologies

IRL3714ZS

MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK

infineon-technologies

IRLR2705TRRPBF

MOSFET N-CH 55V 28A DPAK

infineon-technologies

IRL3715ZS

MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK

infineon-technologies

IRLL014NPBF

MOSFET N-CH 55V 2A SOT223