Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
PMPB29XPEAX
Product Overview
Производител:
Nexperia USA Inc.
Номер на част:
PMPB29XPEAX-DG
Описание:
MOSFET P-CH 20V 5A DFN2020MD-6
Подробно описание:
P-Channel 20 V 5A (Ta) 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount DFN2020MD-6
Инвентар:
1173 Брой Нови Оригинални На Склад
12829282
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
M
0
k
X
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
PMPB29XPEAX Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Nexperia
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
TrenchMOS™
Състояние на продукта
Active
Тип FET
P-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
20 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
5A (Ta)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
1.8V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
32.5mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ id
1V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
45 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±12V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
2970 pF @ 10 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Клас
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
DFN2020MD-6
Опаковка / Калъф
6-UDFN Exposed Pad
Основен номер на продукта
PMPB29
Технически данни и документи
HTML Технически лист
PMPB29XPEAX-DG
Технически данни
PMPB29XPEA Datasheet
Технически листове
PMPB29XPEAX
Допълнителна информация
Стандартен пакет
3,000
Други имена
934070928115
5202-PMPB29XPEAXTR
1727-7842-6
1727-7842-1
1727-7842-2
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
PSMN0R7-25YLDX
MOSFET N-CH 25V 300A LFPAK56
BUK7E13-60E,127
MOSFET N-CH 60V 58A I2PAK
PSMN4R4-80PS,127
MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB
AUIRFS8405
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK