Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
PSMN1R4-30YLDX
Product Overview
Производител:
Nexperia USA Inc.
Номер на част:
PSMN1R4-30YLDX-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Подробно описание:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 166W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Инвентар:
19042 Брой Нови Оригинални На Склад
12829081
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
X
Q
G
X
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
PSMN1R4-30YLDX Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Nexperia
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
30 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
100A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.42mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
2.2V @ 1mA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
54.8 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
3840 pF @ 15 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
166W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
LFPAK56, Power-SO8
Опаковка / Калъф
SC-100, SOT-669
Основен номер на продукта
PSMN1R4
Технически данни и документи
HTML Технически лист
PSMN1R4-30YLDX-DG
Технически данни
PSMN1R4-30YLD
Технически листове
PSMN1R4-30YLDX
Допълнителна информация
Стандартен пакет
1,500
Други имена
568-11557-2
568-11557-1
568-11557-6-DG
PSMN1R4-30YLDX-DG
568-11557-2-DG
568-11557-1-DG
1727-1861-1
1727-1861-2
5202-PSMN1R4-30YLDXTR
934068236115
568-11557-6
1727-1861-6
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
AUIRF7736M2TR
MOSFET N-CH 40V 22A DIRECTFET
PMV50UPE,215
MOSFET P-CH 20V 3.2A TO236AB
BUK9614-55A,118
MOSFET N-CH 55V 73A D2PAK
BUK9M15-60EX
MOSFET N-CH 60V 47A LFPAK33