Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
PSMN2R0-60PSRQ
Product Overview
Производител:
Nexperia USA Inc.
Номер на част:
PSMN2R0-60PSRQ-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Подробно описание:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 338W (Tc) Through Hole TO-220AB
Инвентар:
Онлайн запит за оферта
12829669
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
h
X
4
9
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
PSMN2R0-60PSRQ Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Nexperia
Опаковане
Tube
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
60 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
120A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 1mA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
192 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
13500 pF @ 30 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
338W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
TO-220AB
Опаковка / Калъф
TO-220-3
Основен номер на продукта
PSMN2R0
Допълнителна информация
Стандартен пакет
50
Други имена
934068472127
5202-PSMN2R0-60PSRQTR
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
AOT260L
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
3440
Номер на част
AOT260L-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
1.31
Вид на замяна
Similar
Сертификация DIGI
Свързани продукти
PMCM4401UPEZ
MOSFET P-CH 20V 4A 4WLCSP
BUK7613-75B,118
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
BUK7E3R1-40E,127
MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK
BUK664R8-75C,118
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK