Номер на продукта на производителя:
PSMN3R0-30YL,115
Product Overview
Производител:
Nexperia USA Inc.
Номер на част:
PSMN3R0-30YL,115-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Подробно описание:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 81W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Инвентар:
42077 Брой Нови Оригинални На Склад
12916713
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
mgy7
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
PSMN3R0-30YL,115 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Nexperia
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
-
Състояние на продукта
Not For New Designs
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
30 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
100A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
2.15V @ 1mA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
45.8 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
2822 pF @ 12 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
81W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
LFPAK56, Power-SO8
Опаковка / Калъф
SC-100, SOT-669
Основен номер на продукта
PSMN3R0
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове
Допълнителна информация
Стандартен пакет
1,500
Други имена
5202-PSMN3R0-30YL,115TR
568-4681-6-DG
568-4681-1-DG
568-4681-2-DG
PSMN3R0-30YL T/R
568-4681-6
568-4681-1
568-4681-2
1727-4165-6
934063072115
1727-4165-1
1727-4165-2
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
SIHG73N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 73A TO247AC
SI5404BDC-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8
SI7495DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 13A PPAK SO-8
