Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
PSMN4R6-60BS,118
Product Overview
Производител:
Nexperia USA Inc.
Номер на част:
PSMN4R6-60BS,118-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Подробно описание:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 211W (Tc) Surface Mount D2PAK
Инвентар:
10374 Брой Нови Оригинални На Склад
12831530
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
T
n
K
9
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
PSMN4R6-60BS,118 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Nexperia
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
60 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
100A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.4mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 1mA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
70.8 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
4426 pF @ 30 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
211W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
D2PAK
Опаковка / Калъф
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Основен номер на продукта
PSMN4R6
Технически данни и документи
HTML Технически лист
PSMN4R6-60BS,118-DG
Технически данни
PSMN4R6-60BS
Технически листове
PSMN4R6-60BS,118
Допълнителна информация
Стандартен пакет
800
Други имена
934066334118
5202-PSMN4R6-60BS,118TR
568-9492-2
PSMN4R660BS118
568-9492-1
1727-7122-1
1727-7122-2
568-9492-6
568-9492-6-DG
568-9492-1-DG
1727-7122-6
568-9492-2-DG
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
BUK9Y30-75B/C2,115
MOSFET N-CH 75V 34A LFPAK56
BUK7C06-40AITE,118
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
PSMN2R0-30YL,115
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
PHB18NQ10T,118
MOSFET N-CH 100V 18A D2PAK