Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
FCP190N60E
Product Overview
Производител:
onsemi
Номер на част:
FCP190N60E-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 20.6A TO220-3
Подробно описание:
N-Channel 600 V 20.6A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220-3
Инвентар:
695 Брой Нови Оригинални На Склад
12931646
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
v
h
U
X
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
FCP190N60E Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
onsemi
Опаковане
Tube
Поредица
SuperFET® II
Състояние на продукта
Not For New Designs
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
600 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
20.6A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
190mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
3.5V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
82 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
3175 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
208W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
TO-220-3
Опаковка / Калъф
TO-220-3
Основен номер на продукта
FCP190
Технически данни и документи
HTML Технически лист
FCP190N60E-DG
Технически данни
FCP(F)190N60E
Технически листове
FCP190N60E
Допълнителна информация
Стандартен пакет
50
Други имена
FCP190N60EOS
FCP190N60E-DG
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
Not Applicable
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
STP24N60M2
ПРОИЗВОДИТЕЛ
STMicroelectronics
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
189
Номер на част
STP24N60M2-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
1.21
Вид на замяна
Similar
НОМЕР НА ЧАСТ
SPP24N60C3XKSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Infineon Technologies
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
129
Номер на част
SPP24N60C3XKSA1-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
2.95
Вид на замяна
Similar
НОМЕР НА ЧАСТ
IPP60R190C6XKSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Infineon Technologies
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
4500
Номер на част
IPP60R190C6XKSA1-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
1.40
Вид на замяна
Similar
НОМЕР НА ЧАСТ
IXKC20N60C
ПРОИЗВОДИТЕЛ
IXYS
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
0
Номер на част
IXKC20N60C-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
9.07
Вид на замяна
Similar
НОМЕР НА ЧАСТ
STP24N60DM2
ПРОИЗВОДИТЕЛ
STMicroelectronics
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
105
Номер на част
STP24N60DM2-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
1.48
Вид на замяна
Similar
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IRF723
N-CHANNEL POWER MOSFET
2SJ634-S-TL-E
PCH 4V DRIVE SERIES
2SK1432
N-CHANNEL POWER MOSFET
2SJ659-E
PCH 4V DRIVE SERIES