Номер на продукта на производителя:
FDC654P
Product Overview
Производител:
onsemi
Номер на част:
FDC654P-DG
Описание:
MOSFET P-CH 30V 3.6A SUPERSOT6
Подробно описание:
P-Channel 30 V 3.6A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Инвентар:
10965 Брой Нови Оригинални На Склад
12851278
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
t3vr
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
FDC654P Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
onsemi
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
PowerTrench®
Състояние на продукта
Active
Тип FET
P-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
30 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
3.6A (Ta)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
75mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
3V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
9 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
298 pF @ 15 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
1.6W (Ta)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
SuperSOT™-6
Опаковка / Калъф
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Основен номер на продукта
FDC654
Технически данни и документи
Допълнителна информация
Стандартен пакет
3,000
Други имена
FDC654PCT
FDC654P-DG
FDC654PTR
FDC654PDKR
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
R6511ENJTL
MOSFET N-CH 650V 11A LPTS
IAUS300N08S5N012ATMA1
MOSFET N-CH 80V 300A HSOG-8
FDS6675BZ
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
