Номер на продукта на производителя:
FDD86252
Product Overview
Производител:
onsemi
Номер на част:
FDD86252-DG
Описание:
MOSFET N-CH 150V 5A/27A DPAK
Подробно описание:
N-Channel 150 V 5A (Ta), 27A (Tc) 3.1W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Инвентар:
80199 Брой Нови Оригинални На Склад
12838853
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
BLez
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
FDD86252 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
onsemi
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
PowerTrench®
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
150 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
5A (Ta), 27A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
52mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
985 pF @ 75 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
3.1W (Ta), 89W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
TO-252AA
Опаковка / Калъф
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Основен номер на продукта
FDD862
Технически данни и документи
Допълнителна информация
Стандартен пакет
2,500
Други имена
FDD86252CT
FDD86252TR
FDD86252DKR
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
FDMS86368-F085
MOSFET N-CH 80V 80A POWER56
64-9146
MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET
FDS6670A
MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC
