FDL100N50F
Номер на продукта на производителя:

FDL100N50F

Product Overview

Производител:

onsemi

Номер на част:

FDL100N50F-DG

Описание:

MOSFET N-CH 500V 100A TO264-3
Подробно описание:
N-Channel 500 V 100A (Tc) 2500W (Tc) Through Hole TO-264-3

Инвентар:

111 Брой Нови Оригинални На Склад
12839517
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
fS9v
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ

FDL100N50F Технически спецификации

Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
onsemi
Опаковане
Tube
Поредица
UniFET™
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
500 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
100A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
55mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
5V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
238 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
12000 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
2500W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
TO-264-3
Опаковка / Калъф
TO-264-3, TO-264AA
Основен номер на продукта
FDL100

Технически данни и документи

HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове

Допълнителна информация

Стандартен пакет
25

Екологична и износна класификация

Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
Not Applicable
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
onsemi

HUFA75345S3S

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

onsemi

FDN308P

MOSFET P-CH 20V 1.5A SUPERSOT3

onsemi

IRLS630A

MOSFET N-CH 200V 6.5A TO220-3

infineon-technologies

62-0218PBF

MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SO