Номер на продукта на производителя:
FDP023N08B-F102
Product Overview
Производител:
onsemi
Номер на част:
FDP023N08B-F102-DG
Описание:
MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
Подробно описание:
N-Channel 75 V 120A (Tc) 245W (Tc) Through Hole TO-220-3
Инвентар:
890 Брой Нови Оригинални На Склад
12838289
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
8MNt
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
FDP023N08B-F102 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
onsemi
Опаковане
Tube
Поредица
PowerTrench®
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
75 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
120A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.35mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
3.8V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
195 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
13765 pF @ 37.5 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
245W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
TO-220-3
Опаковка / Калъф
TO-220-3
Основен номер на продукта
FDP023
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове
Допълнителна информация
Стандартен пакет
50
Други имена
FDP023N08B-F102OS
FDP023N08B_F102
1990-FDP023N08B-F102
FDP023N08B-F102-DG
2832-FDP023N08B-F102
FDP023N08B_F102-DG
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
Not Applicable
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
HUFA75343P3
MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
FQD4P40TF
MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK
FDR6580
MOSFET N-CH 20V 11.2A SUPERSOT8
