Номер на продукта на производителя:
FDP050AN06A0
Product Overview
Производител:
onsemi
Номер на част:
FDP050AN06A0-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 18A/80A TO220-3
Подробно описание:
N-Channel 60 V 18A (Ta), 80A (Tc) 245W (Tc) Through Hole TO-220-3
Инвентар:
6627 Брой Нови Оригинални На Склад
12838136
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
FDP050AN06A0 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
onsemi
Опаковане
Tube
Поредица
PowerTrench®
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
60 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
18A (Ta), 80A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
5mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
3900 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
245W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
TO-220-3
Опаковка / Калъф
TO-220-3
Основен номер на продукта
FDP050
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове
Допълнителна информация
Стандартен пакет
50
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
Not Applicable
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
AUIRFS3004TRL
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK-3
FQP32N12V2
MOSFET N-CH 120V 32A TO220-3
FCB110N65F
MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK