Номер на продукта на производителя:
FDR842P
Product Overview
Производител:
onsemi
Номер на част:
FDR842P-DG
Описание:
MOSFET P-CH 12V 11A SUPERSOT8
Подробно описание:
P-Channel 12 V 11A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-8
Инвентар:
12846683
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
fVYw
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
FDR842P Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
onsemi
Опаковане
-
Поредица
-
Състояние на продукта
Obsolete
Тип FET
P-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
12 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
11A (Ta)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
1.8V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
9mOhm @ 11A, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ id
1.5V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
80 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
5350 pF @ 6 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
1.8W (Ta)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
SuperSOT™-8
Опаковка / Калъф
8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
Основен номер на продукта
FDR84
Допълнителна информация
Стандартен пакет
3,000
Други имена
FDR842P-DG
FDR842PTR
FDR842PCT
FDR842PDKR
Екологична и износна класификация
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
FDC606P
ПРОИЗВОДИТЕЛ
onsemi
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
0
Номер на част
FDC606P-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.30
Вид на замяна
Similar
Сертификация DIGI
Свързани продукти
FDY300NZ
MOSFET N-CH 20V 600MA SC89-3
FQB5P10TM
MOSFET P-CH 100V 4.5A D2PAK
FDBL86563-F085
MOSFET N-CH 60V 240A 8HPSOF
