Номер на продукта на производителя:
FDS6681Z
Product Overview
Производител:
onsemi
Номер на част:
FDS6681Z-DG
Описание:
MOSFET P-CH 30V 20A 8SOIC
Подробно описание:
P-Channel 30 V 20A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Инвентар:
19722 Брой Нови Оригинални На Склад
12838916
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
ECV5
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
FDS6681Z Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
onsemi
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
PowerTrench®
Състояние на продукта
Active
Тип FET
P-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
30 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
20A (Ta)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
3V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
7540 pF @ 15 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
2.5W (Ta)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
8-SOIC
Опаковка / Калъф
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Основен номер на продукта
FDS6681
Технически данни и документи
Технически данни
Допълнителна информация
Стандартен пакет
2,500
Други имена
FDS6681Z-DG
2156-FDS6681Z-OS
FDS6681ZDKR
FDS6681ZCT
FDS6681ZTR
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
AUIRFS6535
MOSFET N-CH 300V 19A D2PAK
BSC340N08NS3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 7A/23A TDSON-8-5
FQPF1N60
MOSFET N-CH 600V 900MA TO220F
