Номер на продукта на производителя:
FDS8878
Product Overview
Производител:
onsemi
Номер на част:
FDS8878-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC
Подробно описание:
N-Channel 30 V 10.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Инвентар:
3799 Брой Нови Оригинални На Склад
12836289
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
FDS8878 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
onsemi
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
PowerTrench®
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
30 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
10.2A (Ta)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
14mOhm @ 10.2A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
2.5V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
897 pF @ 15 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
2.5W (Ta)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
8-SOIC
Опаковка / Калъф
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Основен номер на продукта
FDS88
Технически данни и документи
Технически данни
Допълнителна информация
Стандартен пакет
2,500
Други имена
FDS8878DKR
FDS8878-DG
FDS8878TR
FDS8878CT
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
FQB8N60CFTM
MOSFET N-CH 600V 6.26A D2PAK
FDC8886
MOSFET N-CH 30V 6.5/8A SUPERSOT6
HUF76639P3
MOSFET N-CH 100V 51A TO220-3
