Номер на продукта на производителя:
FDS9933A
Product Overview
Производител:
onsemi
Номер на част:
FDS9933A-DG
Описание:
MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8SOIC
Подробно описание:
Mosfet Array 20V 3.8A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Инвентар:
4518 Брой Нови Оригинални На Склад
12840343
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
JFek
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
FDS9933A Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, FET, MOSFET масиви
Производител
onsemi
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
PowerTrench®
Състояние на продукта
Active
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 P-Channel (Dual)
Функция на FET
Logic Level Gate
Източване към източникаtage (Vdss)
20V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
3.8A
Rds On (макс.) @ id, vgs
75mOhm @ 3.8A, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ id
1.5V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
10nC @ 4.5V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
600pF @ 10V
Мощност - Макс
900mW
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Опаковка / Калъф
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Пакет устройства на доставчика
8-SOIC
Основен номер на продукта
FDS99
Технически данни и документи
Допълнителна информация
Стандартен пакет
2,500
Други имена
FDS9933A-DG
FDS9933ATR
FDS9933ADKR
FDS9933ACT
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
EFC6605R-V-TR
MOSFET 2N-CH 20V 10A 6EFCP
EMH2412-TL-H
MOSFET 2N-CH 24V 6A 8EMH
QJD1210011
SIC 2N-CH 1200V 100A MODULE
