Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
FJN4301RTA
Product Overview
Производител:
onsemi
Номер на част:
FJN4301RTA-DG
Описание:
TRANS PREBIAS PNP 50V TO92-3
Подробно описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 300 mW Through Hole TO-92-3
Инвентар:
Онлайн запит за оферта
12846139
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
W
1
8
c
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
FJN4301RTA Технически спецификации
Категория
Биполярен (BJT), Единични, предварително предразположени биполярни транзистори
Производител
onsemi
Опаковане
-
Поредица
-
Състояние на продукта
Obsolete
Тип транзистор
PNP - Pre-Biased
Ток - колектор (Ic) (макс.)
100 mA
Напрежение - повреда на излъчвателя на колектора (макс.)
50 V
Резистор - основа (R1)
4.7 kOhms
Резистор - емитерна основа (R2)
4.7 kOhms
Усилване на постоянен ток (hFE) (мин) @ Ic, Vce
20 @ 10mA, 5V
Vce Насищане (макс.) @ ib, ic
300mV @ 500µA, 10mA
Ток - прекъсване на колектора (макс.)
100nA (ICBO)
Честота - преход
200 MHz
Мощност - Макс
300 mW
Тип монтаж
Through Hole
Опаковка / Калъф
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Пакет устройства на доставчика
TO-92-3
Основен номер на продукта
FJN430
Технически данни и документи
HTML Технически лист
FJN4301RTA-DG
Технически данни
FJN4301
Технически листове
FJN4301RTA
Допълнителна информация
Стандартен пакет
2,000
Други имена
FJN4301RTA-DG
2832-FJN4301RTATR
FJN4301RTACT
FJN4301RTATB
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
MMUN2132LT1G
ПРОИЗВОДИТЕЛ
onsemi
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
33518
Номер на част
MMUN2132LT1G-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.01
Вид на замяна
Similar
Сертификация DIGI
Свързани продукти
DRC3124T0L
TRANS PREBIAS NPN 50V SSSMINI3
FJX4008RTF
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323
FJN4304RTA
TRANS PREBIAS PNP 50V TO92-3
BCR533E6327HTSA1
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23