Номер на продукта на производителя:
FQA22P10
Product Overview
Производител:
onsemi
Номер на част:
FQA22P10-DG
Описание:
MOSFET P-CH 100V 24A TO3PN
Подробно описание:
P-Channel 100 V 24A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-3PN
Инвентар:
12837564
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
oB3B
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
FQA22P10 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
onsemi
Опаковане
-
Поредица
QFET®
Състояние на продукта
Obsolete
Тип FET
P-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
100 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
24A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
125mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
1500 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
150W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
TO-3PN
Опаковка / Калъф
TO-3P-3, SC-65-3
Основен номер на продукта
FQA2
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически листове
Допълнителна информация
Стандартен пакет
30
Екологична и износна класификация
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
FDMS7556S
MOSFET N-CH 25V 35A/49A 8PQFN
HUFA76639P3
MOSFET N-CH 100V 51A TO220-3
FDD068AN03L
MOSFET N-CH 30V 17A/35A TO252AA
