Номер на продукта на производителя:
FQA38N30
Product Overview
Производител:
onsemi
Номер на част:
FQA38N30-DG
Описание:
MOSFET N-CH 300V 38.4A TO3P
Подробно описание:
N-Channel 300 V 38.4A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-3P
Инвентар:
12836661
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
wIXj
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
FQA38N30 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
onsemi
Опаковане
-
Поредица
QFET®
Състояние на продукта
Obsolete
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
300 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
38.4A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
85mOhm @ 19.2A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
5V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
4400 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
290W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
TO-3P
Опаковка / Калъф
TO-3P-3, SC-65-3
Основен номер на продукта
FQA3
Допълнителна информация
Стандартен пакет
30
Други имена
2166-FQA38N30-488
2832-FQA38N30
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
Not Applicable
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
Сертификация DIGI
Свързани продукти
FQP6N90
MOSFET N-CH 900V 5.8A TO220-3
HUFA75321S3ST
MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK
FQD6N25TM
MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
