Номер на продукта на производителя:
FQB3P50TM
Product Overview
Производител:
onsemi
Номер на част:
FQB3P50TM-DG
Описание:
MOSFET P-CH 500V 2.7A D2PAK
Подробно описание:
P-Channel 500 V 2.7A (Tc) 3.13W (Ta), 85W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Инвентар:
12840174
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
FQB3P50TM Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
onsemi
Опаковане
-
Поредица
QFET®
Състояние на продукта
Obsolete
Тип FET
P-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
500 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
2.7A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.9Ohm @ 1.35A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
5V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
660 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
3.13W (Ta), 85W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
TO-263 (D2PAK)
Опаковка / Калъф
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Основен номер на продукта
FQB3
Допълнителна информация
Стандартен пакет
800
Екологична и износна класификация
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
IRF5210STRLPBF
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Infineon Technologies
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
7933
Номер на част
IRF5210STRLPBF-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
1.26
Вид на замяна
Similar
Сертификация DIGI
Свързани продукти
FDG328P
MOSFET P-CH 20V 1.5A SC88
FDMC610P
MOSFET P-CH 12V 80A POWER33
FDMC012N03
MOSFET N-CH 30V 35A/185A POWER33
