Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
FQB47P06TM-AM002
Product Overview
Производител:
onsemi
Номер на част:
FQB47P06TM-AM002-DG
Описание:
MOSFET P-CH 60V 47A D2PAK
Подробно описание:
P-Channel 60 V 47A (Tc) 3.75W (Ta), 160W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Инвентар:
1255 Брой Нови Оригинални На Склад
12836726
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
o
B
v
n
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
FQB47P06TM-AM002 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
onsemi
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
QFET®
Състояние на продукта
Active
Тип FET
P-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
60 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
47A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
26mOhm @ 23.5A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
3600 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
3.75W (Ta), 160W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
TO-263 (D2PAK)
Опаковка / Калъф
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Основен номер на продукта
FQB47P06
Технически данни и документи
HTML Технически лист
FQB47P06TM-AM002-DG
Технически данни
FQB47P06
Технически листове
FQB47P06TM-AM002
Допълнителна информация
Стандартен пакет
800
Други имена
FQB47P06TM_AM002TR-DG
FQB47P06TM-AM002TR
FQB47P06TM_AM002TR
FQB47P06TM-AM002CT
FQB47P06TM_AM002
FQB47P06TM_AM002CT
FQB47P06TM_AM002-DG
FQB47P06TM_AM002DKR-DG
FQB47P06TMAM002
FQB47P06TM_AM002CT-DG
FQB47P06TM-AM002DKR
FQB47P06TM_AM002DKR
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IRF630BTSTU_FP001
MOSFET N-CH 200V 9A TO220-3
FQA6N80
MOSFET N-CH 800V 6.3A TO3P
FDS6575
MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
FDS6680S
MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC