FQB47P06TM-AM002
Номер на продукта на производителя:

FQB47P06TM-AM002

Product Overview

Производител:

onsemi

Номер на част:

FQB47P06TM-AM002-DG

Описание:

MOSFET P-CH 60V 47A D2PAK
Подробно описание:
P-Channel 60 V 47A (Tc) 3.75W (Ta), 160W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Инвентар:

1255 Брой Нови Оригинални На Склад
12836726
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
oBvn
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ

FQB47P06TM-AM002 Технически спецификации

Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
onsemi
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
QFET®
Състояние на продукта
Active
Тип FET
P-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
60 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
47A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
26mOhm @ 23.5A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
3600 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
3.75W (Ta), 160W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
TO-263 (D2PAK)
Опаковка / Калъф
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Основен номер на продукта
FQB47P06

Технически данни и документи

HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове

Допълнителна информация

Стандартен пакет
800
Други имена
FQB47P06TM_AM002TR-DG
FQB47P06TM-AM002TR
FQB47P06TM_AM002TR
FQB47P06TM-AM002CT
FQB47P06TM_AM002
FQB47P06TM_AM002CT
FQB47P06TM_AM002-DG
FQB47P06TM_AM002DKR-DG
FQB47P06TMAM002
FQB47P06TM_AM002CT-DG
FQB47P06TM-AM002DKR
FQB47P06TM_AM002DKR

Екологична и износна класификация

Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
onsemi

IRF630BTSTU_FP001

MOSFET N-CH 200V 9A TO220-3

onsemi

FQA6N80

MOSFET N-CH 800V 6.3A TO3P

onsemi

FDS6575

MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC

onsemi

FDS6680S

MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC