Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
FQB6N80TM
Product Overview
Производител:
onsemi
Номер на част:
FQB6N80TM-DG
Описание:
MOSFET N-CH 800V 5.8A D2PAK
Подробно описание:
N-Channel 800 V 5.8A (Tc) 3.13W (Ta), 158W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Инвентар:
Онлайн запит за оферта
12835885
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
V
a
w
j
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
FQB6N80TM Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
onsemi
Опаковане
-
Поредица
QFET®
Състояние на продукта
Obsolete
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
800 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
5.8A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.95Ohm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
5V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
1500 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
3.13W (Ta), 158W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
TO-263 (D2PAK)
Опаковка / Калъф
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Основен номер на продукта
FQB6N80
Технически данни и документи
HTML Технически лист
FQB6N80TM-DG
Технически данни
FQB6N80
Технически листове
FQB6N80TM
Допълнителна информация
Стандартен пакет
800
Други имена
FQB6N80TM-DG
FQB6N80TMTR
FQB6N80TMDKR
FQB6N80TMCT
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
STB7NK80ZT4
ПРОИЗВОДИТЕЛ
STMicroelectronics
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
4410
Номер на част
STB7NK80ZT4-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
1.21
Вид на замяна
Similar
НОМЕР НА ЧАСТ
STB9NK80Z
ПРОИЗВОДИТЕЛ
STMicroelectronics
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
0
Номер на част
STB9NK80Z-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.92
Вид на замяна
Similar
НОМЕР НА ЧАСТ
STB6NK90ZT4
ПРОИЗВОДИТЕЛ
STMicroelectronics
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
0
Номер на част
STB6NK90ZT4-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
1.32
Вид на замяна
Similar
НОМЕР НА ЧАСТ
FQB4N80TM
ПРОИЗВОДИТЕЛ
onsemi
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
720
Номер на част
FQB4N80TM-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.90
Вид на замяна
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Свързани продукти
2SK4198LS
MOSFET N-CH 600V 5A TO220FI
FDV304P
MOSFET P-CH 25V 460MA SOT23
2V7002WT1G
MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3
2SK3747
MOSFET N-CH 1500V 2A TO3PML