Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
FQD7P20TM
Product Overview
Производител:
onsemi
Номер на част:
FQD7P20TM-DG
Описание:
MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
Подробно описание:
P-Channel 200 V 5.7A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Инвентар:
39 Брой Нови Оригинални На Склад
12849785
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
Q
Q
S
7
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
FQD7P20TM Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
onsemi
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
QFET®
Състояние на продукта
Active
Тип FET
P-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
200 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
5.7A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
690mOhm @ 2.85A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
5V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
770 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
2.5W (Ta), 55W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
TO-252AA
Опаковка / Калъф
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Основен номер на продукта
FQD7P20
Технически данни и документи
HTML Технически лист
FQD7P20TM-DG
Технически данни
FQD7P20
Технически листове
FQD7P20TM
Допълнителна информация
Стандартен пакет
2,500
Други имена
FQD7P20TMTR
FQD7P20TMDKR
FQD7P20TM-DG
FQD7P20TMCT
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
FDPF33N25TRDTU
MOSFET N-CHANNEL 250V TO220F
CPH6444-TL-E
MOSFET N-CH 60V 4.5A 6CPH
HUFA76423P3
MOSFET N-CH 60V 35A TO220-3
FQB2N50TM
MOSFET N-CH 500V 2.1A D2PAK