FQD7P20TM
Номер на продукта на производителя:

FQD7P20TM

Product Overview

Производител:

onsemi

Номер на част:

FQD7P20TM-DG

Описание:

MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
Подробно описание:
P-Channel 200 V 5.7A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Инвентар:

39 Брой Нови Оригинални На Склад
12849785
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
QQS7
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ

FQD7P20TM Технически спецификации

Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
onsemi
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
QFET®
Състояние на продукта
Active
Тип FET
P-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
200 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
5.7A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
690mOhm @ 2.85A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
5V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
770 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
2.5W (Ta), 55W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
TO-252AA
Опаковка / Калъф
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Основен номер на продукта
FQD7P20

Технически данни и документи

HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове

Допълнителна информация

Стандартен пакет
2,500
Други имена
FQD7P20TMTR
FQD7P20TMDKR
FQD7P20TM-DG
FQD7P20TMCT

Екологична и износна класификация

Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
onsemi

FDPF33N25TRDTU

MOSFET N-CHANNEL 250V TO220F

onsemi

CPH6444-TL-E

MOSFET N-CH 60V 4.5A 6CPH

onsemi

HUFA76423P3

MOSFET N-CH 60V 35A TO220-3

onsemi

FQB2N50TM

MOSFET N-CH 500V 2.1A D2PAK