Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
FQP6N80
Product Overview
Производител:
onsemi
Номер на част:
FQP6N80-DG
Описание:
MOSFET N-CH 800V 5.8A TO220-3
Подробно описание:
N-Channel 800 V 5.8A (Tc) 158W (Tc) Through Hole TO-220-3
Инвентар:
Онлайн запит за оферта
12847478
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
FQP6N80 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
onsemi
Опаковане
-
Поредица
QFET®
Състояние на продукта
Obsolete
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
800 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
5.8A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.95Ohm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
5V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
1500 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
158W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
TO-220-3
Опаковка / Калъф
TO-220-3
Основен номер на продукта
FQP6
Технически данни и документи
HTML Технически лист
FQP6N80-DG
Технически листове
FQP6N80
Допълнителна информация
Стандартен пакет
50
Екологична и износна класификация
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
STP5NK80Z
ПРОИЗВОДИТЕЛ
STMicroelectronics
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
240
Номер на част
STP5NK80Z-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.85
Вид на замяна
Similar
НОМЕР НА ЧАСТ
STP4N80K5
ПРОИЗВОДИТЕЛ
STMicroelectronics
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
202
Номер на част
STP4N80K5-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.73
Вид на замяна
Similar
НОМЕР НА ЧАСТ
STP7NK80Z
ПРОИЗВОДИТЕЛ
STMicroelectronics
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
995
Номер на част
STP7NK80Z-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
1.21
Вид на замяна
Similar
НОМЕР НА ЧАСТ
STP6N80K5
ПРОИЗВОДИТЕЛ
STMicroelectronics
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
0
Номер на част
STP6N80K5-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
1.05
Вид на замяна
Similar
Сертификация DIGI
Свързани продукти
FDD20AN06A0-F085
MOSFET N-CH 60V 8A/45A TO252AA
FQD2P40TF
MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK
BSZ100N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 12A/40A 8TSDSON
NTB6413ANT4G
MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK