Номер на продукта на производителя:
FQP7N20L
Product Overview
Производител:
onsemi
Номер на част:
FQP7N20L-DG
Описание:
MOSFET N-CH 200V 6.5A TO220-3
Подробно описание:
N-Channel 200 V 6.5A (Tc) 63W (Tc) Through Hole TO-220-3
Инвентар:
12849482
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
WRXT
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
FQP7N20L Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
onsemi
Опаковане
-
Поредица
QFET®
Състояние на продукта
Obsolete
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
200 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
6.5A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
750mOhm @ 3.25A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
2V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
9 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
500 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
63W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
TO-220-3
Опаковка / Калъф
TO-220-3
Основен номер на продукта
FQP7
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически листове
Допълнителна информация
Стандартен пакет
1,000
Екологична и износна класификация
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
FDS8812NZ
MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC
AOTF2618L
MOSFET N-CH 60V 7A/22A TO220-3F
FCP600N65S3R0
MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3
