Номер на продукта на производителя:
NDC631N
Product Overview
Производител:
onsemi
Номер на част:
NDC631N-DG
Описание:
MOSFET N-CH 20V 4.1A SUPERSOT6
Подробно описание:
N-Channel 20 V 4.1A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Инвентар:
12841800
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
NDC631N Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
onsemi
Опаковане
-
Поредица
-
Състояние на продукта
Obsolete
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
20 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
4.1A (Ta)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
2.7V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
60mOhm @ 4.1A, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ id
1V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
8V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
365 pF @ 10 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
1.6W (Ta)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
SuperSOT™-6
Опаковка / Калъф
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Основен номер на продукта
NDC631
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически листове
Допълнителна информация
Стандартен пакет
3,000
Екологична и износна класификация
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
2SK066500L
MOSFET N-CH 20V 100MA SMINI3-G1
BSZ058N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON
NTHD3101FT1G
MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
