Номер на продукта на производителя:
NTJD4152PT1G
Product Overview
Производител:
onsemi
Номер на част:
NTJD4152PT1G-DG
Описание:
MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88
Подробно описание:
Mosfet Array 20V 880mA 272mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Инвентар:
15411 Брой Нови Оригинални На Склад
12842210
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
rubM
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
NTJD4152PT1G Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, FET, MOSFET масиви
Производител
onsemi
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 P-Channel (Dual)
Функция на FET
Logic Level Gate
Източване към източникаtage (Vdss)
20V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
880mA
Rds On (макс.) @ id, vgs
260mOhm @ 880mA, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ id
1.2V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
2.2nC @ 4.5V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
155pF @ 20V
Мощност - Макс
272mW
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Опаковка / Калъф
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Пакет устройства на доставчика
SC-88/SC70-6/SOT-363
Основен номер на продукта
NTJD4152
Технически данни и документи
Допълнителна информация
Стандартен пакет
3,000
Други имена
NTJD4152PT1GOSDKR
NTJD4152PT1GOSCT
NTJD4152PT1GOSTR
2832-NTJD4152PT1GTR
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
QJD1210010
SIC 2N-CH 1200V 100A MODULE
NVMD6P02R2G
MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
MCH6663-TL-H
MOSFET N/P-CH 30V 1.8A 6MCPH
