Номер на продукта на производителя:
NTZD5110NT1G
Product Overview
Производител:
onsemi
Номер на част:
NTZD5110NT1G-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563
Подробно описание:
Mosfet Array 60V 294mA 250mW Surface Mount SOT-563
Инвентар:
21588 Брой Нови Оригинални На Склад
12918378
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
bUka
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
NTZD5110NT1G Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, FET, MOSFET масиви
Производител
onsemi
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция на FET
Logic Level Gate
Източване към източникаtage (Vdss)
60V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
294mA
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
2.5V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
0.7nC @ 4.5V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
24.5pF @ 20V
Мощност - Макс
250mW
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Опаковка / Калъф
SOT-563, SOT-666
Пакет устройства на доставчика
SOT-563
Основен номер на продукта
NTZD5110
Технически данни и документи
Допълнителна информация
Стандартен пакет
4,000
Други имена
ONSONSNTZD5110NT1G
2156-NTZD5110NT1G-OS
NTZD5110NT1GOSTR
NTZD5110NT1G-DG
NTZD5110NT1GOSCT
NTZD5110NT1GOSDKR
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
SQJ963EP-T1_GE3
MOSFET 2P-CH 60V 8A PPAK SO8
SQJ844AEP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO8
SQJB68EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 100V 11A PPAK SO8
