NVMFS003P03P8ZT1G
Номер на продукта на производителя:

NVMFS003P03P8ZT1G

Product Overview

Производител:

onsemi

Номер на част:

NVMFS003P03P8ZT1G-DG

Описание:

PFET SO8FL -30V 3MO
Подробно описание:
P-Channel 30 V 35.7A (Ta), 234A (Tc) 3.9W (Ta), 168.7W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Инвентар:

1476 Брой Нови Оригинални На Склад
13000881
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
KaLr
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ

NVMFS003P03P8ZT1G Технически спецификации

Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
onsemi
Опаковане
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Поредица
-
Състояние на продукта
Obsolete
Тип FET
P-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
30 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
35.7A (Ta), 234A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.8mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
3V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
167 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±25V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
12120 pF @ 15 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
3.9W (Ta), 168.7W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Опаковка / Калъф
8-PowerTDFN, 5 Leads

Технически данни и документи

Технически данни

Допълнителна информация

Стандартен пакет
1,500
Други имена
488-NVMFS003P03P8ZT1GCT
488-NVMFS003P03P8ZT1GTR
488-NVMFS003P03P8ZT1GDKR

Екологична и износна класификация

Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Алтернативни модели

НОМЕР НА ЧАСТ
NTMFS002P03P8ZT1G
ПРОИЗВОДИТЕЛ
onsemi
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
2377
Номер на част
NTMFS002P03P8ZT1G-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
1.41
Вид на замяна
Similar
Сертификация DIGI
Свързани продукти
goford-semiconductor

G2014

N20V,RD(MAX)<9M@4.5V,RD(MAX)<11M

onsemi

NTMFS5C645NT1G

60 V 4.5 M 94 A SINGLE N CHANNEL

goford-semiconductor

G40P03K

P-30V,RD(MAX)<9.5M@-10V,RD(MAX)<

microchip-technology

MSCSM120SKM31CTBL1NG

PM-MOSFET-SIC-SBD-BL1