NVMFWS005N10MCLT1G
Номер на продукта на производителя:

NVMFWS005N10MCLT1G

Product Overview

Производител:

onsemi

Номер на част:

NVMFWS005N10MCLT1G-DG

Описание:

PTNG 100V LL SO8FL
Подробно описание:
N-Channel 100 V 18.4A (Ta), 108A (Tc) 3.8W (Ta), 131W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)

Инвентар:

1500 Брой Нови Оригинални На Склад
12979327
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ

NVMFWS005N10MCLT1G Технически спецификации

Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
onsemi
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
100 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
18.4A (Ta), 108A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
5.1mOhm @ 34A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
3V @ 192µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
4100 pF @ 50 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
3.8W (Ta), 131W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Клас
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип монтаж
Surface Mount, Wettable Flank
Пакет устройства на доставчика
5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Опаковка / Калъф
8-PowerTDFN, 5 Leads

Технически данни и документи

Технически данни

Допълнителна информация

Стандартен пакет
1,500
Други имена
488-NVMFWS005N10MCLT1GCT
488-NVMFWS005N10MCLT1GTR
488-NVMFWS005N10MCLT1GDKR

Екологична и износна класификация

Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
onsemi

NVH4L075N065SC1

SIC MOS TO247-4L 650V

diodes

DMN10H220LFDF-7

MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020

onsemi

NVTFWS070N10MCLTAG

PTNG 100V LL U8FL

diodes

DMT35M4LFDF-7

MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-