Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
NVMTS1D6N10MCTXG
Product Overview
Производител:
onsemi
Номер на част:
NVMTS1D6N10MCTXG-DG
Описание:
PTNG 100V SINGLE NCH PQFN8X8 STD
Подробно описание:
N-Channel 100 V 36A (Ta), 273A (Tc) 5W (Ta), 291W (Tc) Surface Mount 8-DFNW (8.3x8.4)
Инвентар:
9000 Брой Нови Оригинални На Склад
12972874
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
i
n
W
8
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
NVMTS1D6N10MCTXG Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
onsemi
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
100 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
36A (Ta), 273A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.7mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 650µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
106 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
7630 pF @ 50 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
5W (Ta), 291W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Клас
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
8-DFNW (8.3x8.4)
Опаковка / Калъф
8-PowerTDFN
Технически данни и документи
Технически данни
NVMTS1D6N10MC
Допълнителна информация
Стандартен пакет
3,000
Други имена
488-NVMTS1D6N10MCTXGTR
488-NVMTS1D6N10MCTXGDKR
488-NVMTS1D6N10MCTXGCT
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
STW50N65DM6
MOSFET N-CH 650V 33A TO247-3
PJC7407_R1_00001
SOT-323, MOSFET
PJA3405_R1_00001
SOT-23, MOSFET
PJD40N04_L2_00001
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M