Номер на продукта на производителя:
RFD16N06LESM9A
Product Overview
Производител:
onsemi
Номер на част:
RFD16N06LESM9A-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 16A TO252AA
Подробно описание:
N-Channel 60 V 16A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Инвентар:
4847 Брой Нови Оригинални На Склад
12858472
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
RFD16N06LESM9A Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
onsemi
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
60 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
16A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
47mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (макс.) @ id
3V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
+10V, -8V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
1350 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
90W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
TO-252AA
Опаковка / Калъф
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Основен номер на продукта
RFD16N06
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове
Допълнителна информация
Стандартен пакет
2,500
Други имена
RFD16N06LESM9A-DG
RFD16N06LESM9ACT
RFD16N06LESM9ADKR
RFD16N06LESM9ATR
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
NTP5860NG
MOSFET N-CH 60V 220A TO220AB
IRF3205ZSTRR
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
NTQS6463R2
MOSFET P-CH 20V 6.8A 8TSSOP
