Номер на продукта на производителя:
FJ4B01100L1
Product Overview
Производител:
Panasonic Electronic Components
Номер на част:
FJ4B01100L1-DG
Описание:
MOSFET P-CH 12V 2.2A XLGA004
Подробно описание:
P-Channel 12 V 2.2A (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount XLGA004-W-0808-RA01
Инвентар:
12864803
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
FJ4B01100L1 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Panasonic
Опаковане
-
Поредица
-
Състояние на продукта
Obsolete
Тип FET
P-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
12 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
2.2A (Ta)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
1.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
74mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ id
1V @ 1.2mA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
7 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
459 pF @ 10 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
360mW (Ta)
Работна температура
-40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
XLGA004-W-0808-RA01
Опаковка / Калъф
4-XFLGA, CSP
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически листове
Допълнителна информация
Стандартен пакет
1,000
Други имена
P123942CT
P123942TR
P123942DKR
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
RoHS Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IRF840ASTRRPBF
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
FK3906010L
MOSFET N-CH 60V 100MA SSMINI3
IRL2203NPBF
MOSFET N-CH 30V 116A TO220AB
