Номер на продукта на производителя:
PJD60N04_L2_00001
Product Overview
Производител:
Panjit International Inc.
Номер на част:
PJD60N04_L2_00001-DG
Описание:
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Подробно описание:
N-Channel 40 V 12.7A (Ta), 60A (Tc) 2W (Ta), 62W (Tc) Surface Mount TO-252
Инвентар:
12970925
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
54Dd
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
PJD60N04_L2_00001 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
PANJIT
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
40 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
12.7A (Ta), 60A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
2.5V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
17 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
1759 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
2W (Ta), 62W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
TO-252
Опаковка / Калъф
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Основен номер на продукта
PJD60
Допълнителна информация
Стандартен пакет
3,000
Други имена
3757-PJD60N04_L2_00001DKR
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
MSC360SMA120B
MOSFET SIC 1200 V 360 MOHM TO-24
PJQ5462A-AU_R2_000A1
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJE8428_R1_00001
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
