Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
NP60N04VUK-E1-AY
Product Overview
Производител:
Renesas Electronics Corporation
Номер на част:
NP60N04VUK-E1-AY-DG
Описание:
MOSFET N-CH 40V 60A TO252
Подробно описание:
N-Channel 40 V 60A (Tc) 1.2W (Ta), 105W (Tc) Surface Mount TO-252
Инвентар:
4212 Брой Нови Оригинални На Склад
12856114
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
8
B
E
Z
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
NP60N04VUK-E1-AY Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Renesas Electronics Corporation
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
40 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
60A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.85mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
3680 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
1.2W (Ta), 105W (Tc)
Работна температура
175°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
TO-252
Опаковка / Калъф
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Основен номер на продукта
NP60N04
Технически данни и документи
Технически данни
NP60N04VUKMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
Допълнителна информация
Стандартен пакет
2,500
Други имена
559-NP60N04VUK-E1-AYDKR
559-NP60N04VUK-E1-AYCT
559-NP60N04VUK-E1-AYTR
-1161-NP60N04VUK-E1-AYCT
NP60N04VUK-E1-AY-DG
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
FJ3P02100L
MOSFET P-CH 20V 4.4A 3PMCP
NDDL01N60Z-1G
MOSFET N-CH 600V 800MA IPAK
NTMFS4851NT1G
MOSFET N-CH 30V 9.5A/66A 5DFN
NTTFS5811NLTWG
MOSFET N-CH 40V 17A/53A 8WDFN