Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
EMD22T2R
Product Overview
Производител:
Rohm Semiconductor
Номер на част:
EMD22T2R-DG
Описание:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Подробно описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Инвентар:
7385 Брой Нови Оригинални На Склад
13521904
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
1
0
5
2
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
EMD22T2R Технически спецификации
Категория
Биполярен (BJT), Биполярни транзисторни масиви, предварително предубеждени
Производител
ROHM Semiconductor
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип транзистор
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ток - колектор (Ic) (макс.)
100mA
Напрежение - повреда на излъчвателя на колектора (макс.)
50V
Резистор - основа (R1)
4.7kOhms
Резистор - емитерна основа (R2)
47kOhms
Усилване на постоянен ток (hFE) (мин) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce Насищане (макс.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 2.5mA
Ток - прекъсване на колектора (макс.)
500nA
Честота - преход
250MHz
Мощност - Макс
150mW
Тип монтаж
Surface Mount
Опаковка / Калъф
SOT-563, SOT-666
Пакет устройства на доставчика
EMT6
Основен номер на продукта
EMD22
Технически данни и документи
Документи за надеждност
EMT6 DTR Reliability Test
Технически данни
EMD22T2R
Ресурси за проектиране
EMT6 Inner Structure
Допълнителна информация
Стандартен пакет
8,000
Други имена
EMD22T2R-ND
EMD22T2RTR
Q2730364
EMD22T2RDKR
EMD22T2RCT
EMD22T2R-NDL
Q2730364A
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
PEMD13,115
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Nexperia USA Inc.
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
3987
Номер на част
PEMD13,115-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.06
Вид на замяна
Similar
НОМЕР НА ЧАСТ
NSBC143ZPDXV6T1G
ПРОИЗВОДИТЕЛ
onsemi
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
7000
Номер на част
NSBC143ZPDXV6T1G-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.05
Вид на замяна
Similar
Сертификация DIGI
Свързани продукти
EMB61T2R
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
EMB9T2R
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
EMB51T2R
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
EMD2FHAT2R
PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR