Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
ДР Конго
Аржентина
Турция
Румъния
Литва
Норвегия
Австрия
Ангола
Словакия
Италия
Финландия
Беларус
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Черна гора
Руски
Белгия
Швеция
Сърбия
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Молдова
Германия
Холандия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
Франция
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Португалия
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Испания
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
IMB10AT110
Product Overview
Производител:
Rohm Semiconductor
Номер на част:
IMB10AT110-DG
Описание:
TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
Подробно описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
Инвентар:
5988 Брой Нови Оригинални На Склад
13525402
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IMB10AT110 Технически спецификации
Категория
Биполярен (BJT), Биполярни транзисторни масиви, предварително предубеждени
Производител
ROHM Semiconductor
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип транзистор
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ток - колектор (Ic) (макс.)
100mA
Напрежение - повреда на излъчвателя на колектора (макс.)
50V
Резистор - основа (R1)
2.2kOhms
Резистор - емитерна основа (R2)
47kOhms
Усилване на постоянен ток (hFE) (мин) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce Насищане (макс.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ток - прекъсване на колектора (макс.)
500nA
Честота - преход
250MHz
Мощност - Макс
300mW
Тип монтаж
Surface Mount
Опаковка / Калъф
SC-74, SOT-457
Пакет устройства на доставчика
SMT6
Основен номер на продукта
IMB10
Технически данни и документи
Документи за надеждност
SMT6 DTR Reliability Test
Ресурси за проектиране
SMT6 Inner Structure
Технически данни
IMB10AT110
SMT6 T110 Taping Spec
Допълнителна информация
Стандартен пакет
3,000
Други имена
IMB10AT110TR
IMB10AT110DKR
IMB10AT110CT
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
UMC2NTR
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT5
IMH11AT110
TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
UMA8NTR
TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
UMF4NTR
TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6