Номер на продукта на производителя:
R6006KNXC7G
Product Overview
Производител:
Rohm Semiconductor
Номер на част:
R6006KNXC7G-DG
Описание:
600V 6A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Подробно описание:
N-Channel 600 V 6A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220FM
Инвентар:
987 Брой Нови Оригинални На Склад
12997424
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
R6006KNXC7G Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
ROHM Semiconductor
Опаковане
Tube
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
600 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
6A (Ta)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
830mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
5.5V @ 1mA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
350 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
40W (Tc)
Работна температура
150°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
TO-220FM
Опаковка / Калъф
TO-220-3 Full Pack
Основен номер на продукта
R6006
Допълнителна информация
Стандартен пакет
50
Други имена
846-R6006KNXC7G
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
PH4030DLAX
MOSFET N-CH 30V LFPAK
R6024ENXC7G
600V 24A TO-220FM, LOW-NOISE POW
PJS6421-AU_S1_000A1
20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M