Номер на продукта на производителя:
R6030KNXC7
Product Overview
Производител:
Rohm Semiconductor
Номер на част:
R6030KNXC7-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
Подробно описание:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 86W (Tc) Through Hole TO-220FM
Инвентар:
1500 Брой Нови Оригинални На Склад
13527403
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
jmEV
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
R6030KNXC7 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
ROHM Semiconductor
Опаковане
Tube
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
600 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
30A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
130mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
5V @ 1mA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
2350 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
86W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
TO-220FM
Опаковка / Калъф
TO-220-3 Full Pack
Основен номер на продукта
R6030
Технически данни и документи
Технически данни
Допълнителна информация
Стандартен пакет
1,000
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
RAL035P01TCR
MOSFET P-CH 12V 3.5A TUMT6
RSS065N03FU6TB
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOP
RDX060N60FU6
MOSFET N-CH 600V 6A TO220FM